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Hao, T.; 小野 正雄; 岡安 悟; 境 誠司; 鳴海 一雅; 平岩 佑介*; 楢本 洋*; 前田 佳均
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 268(11-12), p.1867 - 1870, 2010/06
被引用回数：6 パーセンタイル：39.61(Instruments & Instrumentation)We investigate firstly the effect of strong centrifugal force (
10
G, G = 9.8 m/s
: SCF) on diffusion behavior in bimetallic Au/Cu thin films. Then SCF were applied with 0.61
10 G in the directions inward (+MG) and outward (-MG) 
-Al
O
substrates at 220
C for 140 minutes. The Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS: 2.7 MeV 
He
) was used to evaluate the depth profiles of gold and copper atoms for the bimetallic Au/Cu thin films. The results show that in the present condition the diffusion of copper atoms through the gold layer is main process but the diffusion of gold atoms into the copper layers is unobvious for all the cases. Furthermore, it was found that SCF of +MG do not affect distinctly the diffusion of copper atoms through the gold layer, while SCF of -MG can promote damatically the diffusion of copper atoms through gold.
阿保 智*; 増田 直之*; 若家 冨士男*; 小野田 忍; 平尾 敏雄; 大島 武; 岩松 俊明*; 高井 幹夫*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 268(11-12), p.2074 - 2077, 2010/06
被引用回数：3 パーセンタイル：28.78(Instruments & Instrumentation)バルクシリコンもしくはSOI(Silicon on Insulator)基板上に作製された技術ノード90nmのSRAM(Static Random Access Memory)素子のソフトエラー耐性評価を、0.8-6.0MeVのヘリウムイオンプローブ及び9.0-18.0MeVの酸素イオンプローブを用いて行った。ヘリウムを用いたバルクSRAMとSOI SRAMのソフトエラー発生率と照射エネルギーの比較では、バルクSRAMでは、2.5MeV以上のエネルギーのヘリウム照射でソフトエラー発生率が飽和することに対して、SOI SRAMではSOIボディで発生する電荷量が最大となる2.5MeVでソフトエラー発生率が最大となり、それより高いエネルギーでは減少することを明らかにした。SOI SRAMへのヘリウム照射では、SOIボディで発生する電荷量は臨界電荷以下であるため、ソフトエラーはSOI素子特有の基板浮遊効果で引き起こされていると考えられる。酸素を用いたSOI SRAMのソフトエラー発生率と照射エネルギーの関係では、ヘリウムと異なり、SOIボディで発生する電荷量が臨界電荷より多くなるため、ソフトエラー率は高いエネルギーのイオン照射であっても減少せず飽和することを明らかにした。
ions高橋 康之; 鳴海 一雅; 千葉 敦也; 齋藤 勇一; 山田 圭介; 石川 法人; 須貝 宏行; 前田 佳均
no journal, ,
62.5-250keV/uのCをビーム軸に対して45傾けて設置した膜厚1.4-150
g/cm(70-7500
)の炭素薄膜標的へ入射し、薄膜の前後方向に放出される二次電子の収量をMCP検出器により同時測定した。近接効果は二次電子収量比R=
/2
により評価した。ここでとは各々CとC衝突による二次電子収量である。62.5keV/uでは膜厚61-150g/cmにおいて前方で近接効果の消失(R=1)を初めて観測した。軌道計算によりRの核間距離依存性を評価した結果、62.5keV/uでは近接効果が消失するしきい核間距離が0.6-2.3nmに存在することが明らかになった。またしきい核間距離は速度とともに増加し、250keV/uでは核間距離が7nmに達しても近接効果が発現することがわかった。この結果は、電子励起過程の近接効果が消失する核間距離より十分大きく、近接効果の発現機構が励起電子の輸送過程や透過過程にも起因することを示す。輸送過程において、解離イオンの電荷に応じて誘起されるポテンシャルによる励起電子の捕獲・散乱の二次電子放出の抑制モデルを検討した。
ions楢本 洋*; 高橋 康之; 山田 圭介; 千葉 敦也; 阿達 正浩*; 齋藤 勇一; 前田 佳均; 鳴海 一雅
no journal, ,
We will present the analysis of carbon concentration built up on Si surfaces bombarded with 10-, 50- and 400-keV C ions with a nuclear reaction 
C(d, p
)
C using 1.2-MeV D. The fluence dependence of the carbon concentration in the surface layer of C-bombarded Si that we obtained is inconsistent with the one estimated from the assumption that all of the carbon atoms due to an incident C ion remain at the surface. The measured concentration is higher than the estimated one at lower fluence than 10
C/cm, while the rate of increase of the concentration becomes smaller at higher fluence than 10 C/cm and the concentration is lower than the estimation at last. The observed fluence dependence is reproduced well by a rate equation describing the carbon concentration at the surface as a function of the C ion fluence based on an assumption that the carbon concentration is determined by the competition between the sputtering and the carbon deposition or implantation which includes the contribution of C-bombardment-induced recoil of the surface contaminants.
